etching depth - перевод на русский
Diclib.com
Словарь ChatGPT
Введите слово или словосочетание на любом языке 👆
Язык:

Перевод и анализ слов искусственным интеллектом ChatGPT

На этой странице Вы можете получить подробный анализ слова или словосочетания, произведенный с помощью лучшей на сегодняшний день технологии искусственного интеллекта:

  • как употребляется слово
  • частота употребления
  • используется оно чаще в устной или письменной речи
  • варианты перевода слова
  • примеры употребления (несколько фраз с переводом)
  • этимология

etching depth - перевод на русский

Etching (plasma); Etching (isotropic)

etching depth      
глубина травления
acid polishing         
  • An anisotropic wet etch on a silicon wafer creates a cavity with a trapezoidal cross-section.  The bottom of the cavity is a {100} plane (see [[Miller indices]]), and the sides are {111} planes.  The blue material is an etch mask, and the green material is silicon.
  • 140px
  • 140px
  • Etching, simplified animation of etchant action on a copper sheet with mask
  • Simplified illustration of dry etching using positive photoresist during a photolithography process in semiconductor microfabrication. Note: Not to scale.
TECHNIQUE IN MICROFABRICATION
Etching (microfab); Wafer etching; Chemical polishing; Acid polishing
полирование с использованием кислоты (для травления поверхности)
acid polishing         
  • An anisotropic wet etch on a silicon wafer creates a cavity with a trapezoidal cross-section.  The bottom of the cavity is a {100} plane (see [[Miller indices]]), and the sides are {111} planes.  The blue material is an etch mask, and the green material is silicon.
  • 140px
  • 140px
  • Etching, simplified animation of etchant action on a copper sheet with mask
  • Simplified illustration of dry etching using positive photoresist during a photolithography process in semiconductor microfabrication. Note: Not to scale.
TECHNIQUE IN MICROFABRICATION
Etching (microfab); Wafer etching; Chemical polishing; Acid polishing

строительное дело

полирование с использованием кислоты (для травления поверхности)

Определение

Глубина изображаемого пространства

наибольшее расстояние, измеренное вдоль оптической оси, между точками в пространстве, изображаемыми оптической системой (См. Оптические системы) достаточно резко.

Оптическая система образует резкое изображение в плоскости фокусировки Q' лишь точек плоского предмета, перпендикулярного к оптической оси и расположенного на определённом расстоянии от системы - в плоскости наводки Q. Точки пространства, расположенные впереди и сзади плоскости Q и лежащие в плоскостях Q1 и Q2, будут резко изображаться в сопряжённых им плоскостях Q'1 и Q'2. В плоскости фокусировки Q'1 эти точки будут отображаться кружками (кружками рассеяния) конечных размеров d1 и d2, однако, если диаметр кружков рассеяния меньше определённого размера (меньше 0,1 мм для нормального глаза), то глаз воспринимает их как точки, т. е. одинаково резко. Расстояние между плоскостями Q1 и Q2, точки которых на плоском изображении или на фотографии нам кажутся одинаково резкими, называют Г. и. п.; расстояние между плоскостями Q'1 и Q'2 называют глубиной резкости (расстояние Q1Q2 иногда также называют глубиной резкости).

Г. и. п. зависит от диаметра входного зрачка объектива и увеличивается с его уменьшением. Поэтому при фотографировании объекта с передним и задним планом, т. е. объекта, протяжённого вдоль оптической оси системы, необходимо уменьшать отверстие диафрагмы объектива.

Лит.: Тудоровский А. И., Теория оптических приборов, М. - Л., 1952.

В. И. Малышев.

Отображение линзой L точек пространства, лежащих в расположенных на различных расстояниях от линзы плоскостях: Q - плоскость наводки, Q' - плоскость фокусировки. Точка Q резко отображается в плоскости Q', а точки q1 и q2 - в плоскостях Q'1 и Q'2. В плоскости фокусировки Q' точки q1 и q2 отображаются кружками рассеяния диаметром соответственно d1 и d2.

Википедия

Isotropic etching

Isotropic etching is a method commonly used in semiconductors to remove material from a substrate via a chemical process using an etchant substance. The etchant may be in liquid-, gas- or plasma-phase, although liquid etchants such as buffered hydrofluoric acid (BHF) for silicon dioxide etching are more often used. Unlike anisotropic etching, isotropic etching does not etch in a single direction, but rather etches in multiple directions within the substrate. Any horizontal component of the etch direction may therefore result in undercutting of patterned areas, and significant changes to device characteristics. Isotropic etching may occur unavoidably, or it may be desirable for process reasons.

Как переводится etching depth на Русский язык